企业: | 控制网 | 日期: | 2008-06-12 |
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领域: | 工业以太网 | 点击数: | 936 |
引言 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)(金属有机化合物化学气相沉积)是一项制备高质量半导体晶体的新技术。此技术的优点在于[1>:可制成各种薄膜结构型的材料;可制成大面积、高均匀性的外延膜;可精确控制膜的厚度、组成及掺杂浓度;灵活的气体源路控制技术、气体源路的快速切换技术、生长过程全自动控制,使得人的随机因素影响减至最小且重复性很好。要使MOCVD的这些特点能够顺利实现,就必须对工艺参数严格控制。而MOCVD的工艺参数特别多且复杂,这就对控制方法提出了越来越高的要求。因此,有必要采取计算机自动控制。目前MOCVD控制系统大部分依靠国外进口,成本高。研制出具有自主知识产权的MOCVD设备将是发展我国光电子产业的关键环节,意义重大,特别是随着“国家半导体照明工程”的启动,MOCVD的国产化已变得非常紧迫。 根据MOCVD控制系统的具体工艺要求,我们自主研发设计了基于PLC的MOCVD控制系统,该系统采用上位机和可编程控制器实现整个系统的控制和管理,现场试验运行表明该系统性能稳定,响应快速。 2 系统的组成及实现原理
![]() 2.1上位机 2.2 PLC 2.3 温度控制系统 2.4 气体处理系统 气路上压力与流量的控制均由压力和流量控制器来完成。传感器将采集来的实际测量值传送给控制系统,控制系统将采集的实际值,实时与设定值比较。如果用户对控制效果不满意,可以采用闭环回路控制,实时修改传送的设定值。 3 系统软件设计 3.1 步序控制 针对MOCVD 系统工艺的要求,结合本系统运行流程,采用顺序控制设计法来控制不同步之间的动作和命令,执行不同步序循环控制策略。该方法灵活、准确地采用一个循环控制程序,根据不同配方,在不同循环位置,实现不同功能。其最基本的思想是将系统的工作周期划分为50 个顺序相连的阶段,这些阶段称为步(Step),然后用编程元件(存储器位M)来代表各步,每步设定运行开始标志位和结束标志位,进入循环标志位和循环结束标志位,步之间的转换条件可以是外部中断输入“前跳”信号,或者是每步运行的定时器提供的信号。 对于处理不确定的循环位置问题,在每步结束时,判断该步循环结束标志位是否为1,如果不为1,则直接跳到下一步运行,如果为1 再读取剩余循环次数是否为0,如果为0 则跳到下一步运行,如果不为0 则剩余循环次数减1,跳到进入循环的步序运行。其算法流程如图2 所示。
![]() 3.2 模拟量输出控制 基本思想:每步运行开始时,读取步序号并调用该步的模拟量的目标设定值(IN2),前级步结束的输出值(IN1)及要爬升的步数(D),求出步进量S=(IN2-IN1)/D,再判断实际值和设定值的大小,决定实际值是加上或者减去步进量,然后再判断实际值是否达到设定值,如果满足则结束本步爬升。分两种情况考虑,步进量为大于等于0或为负,如图3所示为步进量S为大于等于0的程序算法流程图。
![]() 模拟量输出程序主要采用语句表(STL)的编程方法,它是一种类似于汇编的语言,执行速度高于梯形图,占用内存空间小,能够解决复杂的循环及跳步。针对于本系统多模拟量,步序复杂且循环不定,而CPU内存有限,此方案能很好的解决这个问题。 3.3 模拟量输入控制 模拟量输入子程序采用多路分时选择输入方案,通过译码器在某一时刻选择其中的一路作为输出传送到模拟量输入模块上的一个通道。ADG408 芯片译码选通和PLC 模拟输入量读数处理,在时序上应该严格区分,避免读数混乱。保证在译码选通和PLC 读数的任何时刻,仅有一路模拟输入量处于选通及输入读数状态。如图4 所示,8 路模拟量AI1—AI8,接入ADG408 中,编写程序输出数字量信号控制ADG408 的使能端EN,信号控制端A2、A1、A0,从而实现分时选择多路模拟量中的一路,将其输入到PLC 的模拟量输入模块中,数据进行相应的存储及处理。
![]() 3.4 数字量输出控制 3.5 数字量输入控制 4 结论 本文作者创新点:本文提出了一种基于PLC的MOCVD控制系统的设计及实现。特别是在软件程序设计上运用了先进的控制思想,采用顺序控制法解决了MOCVD系统中对于复杂步序的控制,在模拟量输出控制上采用了PLC的语句表(STL)编程方法,来编写模拟量渐进爬升子程序,其处理速度快于梯形图,内存占用少,解决了模拟量输出防止冲击的可能。本系统提出的控制方案,完全满足了系统工艺的要求。 |
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