英飞凌科技（InfineonTech-nologies）新推出款700MHz频段无线基础设施专用射频功率晶体系列，这个频段将在美国用来导入4G行动电话、行动电视广播与其他行动宽频服务，包括下一代的无线网路标准──LTE（长期演进技术）。 

    新元件包含：具备标准双音PEP（峰值包络功率）效能、供电电压28V的PTFA070551E/PTFA070551F55WFET，增益18.5dB、效率值48%。而PTFA071701GH/PTFA071701HL170WFET则拥有18dB增益与40%的效率。 

    此外，供电电压30V、具标准双音PEP效能的PTFA072401E/PTFA072401F240WLDMOS，具有18dB增益与40%的效率。所有产品都不含铅，相容于RoHs标准，耐热增强型，开槽或无耳凸缘开放腔封装，具有在CW（连续波）输出功率下处理10:1VSWR（电压驻波比）的能力。 

    这些元件採用英飞凌的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）製程技术，提供内部输入与输出宽频匹配与高线性度，简化放大线路的设计，非常适合用于道赫迪（Doherty）放大器，这种放大器结合了载波放大器与峰值放大器，可有效提升放大器的功率。在行动电话与无线网路系统设计上，道赫迪放大器愈来愈受到重用。 

    “有愈来愈多的消费者要求在使用无线网路时，要拥有与固网连线一样的体验与功能，”英飞凌科技射频功率部门副总裁兼总经理HelmutVogler表示，“700MHz通讯网路可将网际网路应用功能悉数从固网移植到无线网路，包括网路电话、视讯串流、音乐下载和行动电视。新型700MHz射频功率晶体能协助建构基础设施，以支援新一代消费性电子装置对新型行动应用模式的需求”。