该系列晶体管的阻断电压高达180V,可处理高达5A的连续集电极电流,因此能够切换高达500W的负载。此外,高达12A的脉冲电流额定值有助于以更高的速度驱动电源电路中更高电容的MOSFET和IGBT。
这些晶体管的饱和电压很低,以50V额定值的ZXTN2031F为例,只有40mV;等效导通电阻值也低于其他封装尺寸相仿的MOSFET,以100V额定值的ZXTN2020F为例,只有30mΩ,因此散热更少,工作温度更低。此外,这些双极晶体管的增益非常高,40V额定值的ZXTP25040DFH的增益至少为300。因此大型负载可以直接由集成电路驱动,而无需增加额外的缓冲器。