伏田 MKP-IGBT型缓冲保护电容器

企业:控制网 日期:2008-07-12
领域:传感器 点击数:936
 

MKP-IGBT型缓冲保护电容器特点、结构、封装等
MKP-IGBT型缓冲保护电容器

    IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)即双极性绝缘效应管.MKP-IGBT型缓冲保护电路电容器应用于脉冲线路,使用双面金属化电极,强化喷金接触和内部串联连接结构.

电容器特点:
·脉冲保护结构
·具有自愈性能
·独特的可靠连接结构: 具有不同导线引出和螺杆连接
·使用内部串联联接
·极低损耗因素和等效串联电阻
·极高的额定电流承载能力
·极高的DV/DT值
·温度变化对容量影响小
·依据ROHS 2002/95/EC环保标准制造 

结 构 
·介质材料: 聚丙烯(PP)膜
·电容器电极: 双面金属化塑料薄膜 
  
 封 装 
·密封,阻燃胶带(UL510),UL94V-0级环氧封装 
  
 引出端 
·镀锡铜线或铜片 
  
 包 装 
·为了运输安全,采用纸箱包装,如需更详细资料图片,请来电索取技术资料. 
  
 安装推荐 
·在组装和使用本缓冲电容器时,应避免过多的机械扭伤如挤压或撞击,震动在电容器上.
·当安装铜片或螺杆时,螺杆的扭矩最大值为5Nm.
 
典型应用 
·应用于要求非常高可靠性能的高脉冲和高频率电路
·应用于IGBT电路 



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