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  • 安森美半导体设计（上海）有限公司
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安森美半导体为DDR3存储器模块应用 推出集成EEPROM的温度传感器

厂商：安森美半导体设计（上海）有限公司
  发布时间：08-12-09 14:24
    2008年12月4日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出来自近期收购Catalyst半导体而得的温度传感器新产品线的第二款产品——CAT34TS02。这新器件结合了12位(另加标记位)数字输出温度传感器和2千比特(Kb)串行存在检测(SPD)电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，用于高速个人电脑(PC)和膝上型电脑、显卡、服务器、电信设备和基站、环境控制系统及工业处理控制设备中的第三代双倍数据率(DDR3)应用。

    CAT34TS02符合电子元件工业联合会(JEDEC)的JC42.4规范，在3.0至3.6伏(V)器件电源电压范围内，75°C至95°C和+20°C至+100°C工作温度范围时分别提供±1°C和±3°C的温度传感精度。它能够每秒测量和记录系统温度近10次，并将相关读数与内部存储器寄存器中存储的3个触发限制值进行比较。主系统能够通过I2C/SMBus接口检索读数，而开漏事件引脚会发出高出限制值或低于限制值条件的信号。
 
    对于通用温度传感器应用而言，将温度传感器与非易失性EEPROM集成在一起，消除了使用外部存储器来存储传感器和阈值配置信息的需要。此外，CAT34TS02的非易失性存储器在上电时会保留定制配置传感器和阈值，从而提供简单、节省空间和高性价比的解决方案。
 
    集成的2 Kb SPD EEPROM内部组织为16页，每页16字节，总计256字节。这EEPROM具有16字节页写缓冲，支持标准(100 kHz)和快速(400 kHz) I2C协定，并具备所有DDR3双列直插存储器模块(DIMM)定义为标准的永久及可逆软件写保护功能。
  
产品特性

    ·    12位数字温度传感器，带2 Kb集成串行存在检测(SPD) EEPROM

    ·    符合JEDEC针对DDR3 DIMM存储器模块的JC42.4规范

    ·    工作温度范围：+20°C至+100°C

    ·    电源电压：3.0 V至3.6 V

    ·    I2C/SMBus接口

    ·    封装：8焊垫TDFN (2 mm x 3 mm)